分子束外延相关论文
利用红外光传播距离长、抗干扰性好而实现的红外光电探测技术作为一种无源被动传感技术,在航空航天遥感、大气环境监测、医学监测......
采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,研究基于碳掺杂InGaAs材料的InP双异质结双极晶体管(DHBT)分子束外延生长......
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置......
自石墨烯被发现和成功制备以来,众多具有优异的机械、电子和光学性能的二维材料受到了研究者们的广泛关注。其中,单元素二维材料的......
氧化锌(ZnO)是具有代表性的第三代半导体材料,具备激子束缚能高、带隙宽、单晶的生长技术成熟、抗辐射性能强、制备技术路线灵活并且......
自2004年石墨烯被成功制备后,二维材料引起了人们极大地关注,相应的研究也开展开来。与其同主族的硅烯、锗烯、锡烯也相继被制备出......
本文利用分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜。通过使用自制的臭氧浓缩装置对臭氧进行浓缩,得到了可以满足MBE法制备Bi系薄膜的高浓度......
石墨烯的横空出世为人们打开了一扇全新的二维材料世界的大门,石墨烯具有一系列优良的电子性质,如有效质量为零的准粒子,可以实现......
过渡金属硅化物,包括CoSi2,MnSi,FeSi等,具有奇异的物理性质,包括超导、巡游弱铁磁、螺旋磁序、磁斯格明子、拓扑物态等,是凝聚态......
采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,系统研究了半绝缘InP衬底上碳掺杂InGaAs材料的外延工艺.为得到......
拓扑绝缘体是一类具有奇特物理性能的新型量子材料,其表面导电,体态绝缘,在拓扑量子计算和自旋电子器件领域具有重大的应用潜力。......
自量子霍尔效应发现以来,拓扑的概念被引入到了凝聚态物理领域。拓扑序的研究丰富了凝聚态物理理论,指引人们发现了许多新奇的量子......
伴随着5G时代的全面来临和照明显示需求的全方位提升,以氮化物、碳化硅为代表的第三代半导体材料迎来了全盛时代。氮化物半导体材......
带间级联激光器有源区内部的物理机制复杂,尚未得到充分研究.优化了电子注入区结构,通过减小InAs/AlSb啁啾超晶格中InAs量子阱的厚......
近年来量子点材料因具有独特的光电子性质而受到了广泛的关注和研究,In Ga As量子点更是因其优良的光学性能而被应用于半导体激光......
超高真空扫描隧道显微镜(Ultra-high vacuum scanning tunneling microscope,UHV STM)是研究半导体表面形貌结构的重要表征技术。它......
近年来,拓扑绝缘体已经成为自旋电子学领域的研究热点之一,其新颖独特的性质令其在自旋器件中有着重要的应用。与经典的金属和绝缘......
高温超导和拓扑超导是近年来凝聚态物理中的两个重要的前沿研究方向。铁基超导体是继铜氧化物超导体后的第二个非常规高温超导体家......
自从石墨烯的发现以来,二维(two-dimensional,2D)范德瓦尔斯(van der Waals,vd W)层状材料一直是各个研究领域的热点。2D vd W层状材料......
高性能、高分辨率、低成本的非制冷焦平面红外探测器是第三代红外探测技术的发展方向。大量理论研究表明,InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材......
低维材料有着不同于常规块体材料的新奇性质。现代半导体芯片已经可以达到10 nm以下工艺,以量子通信、量子计算等为标志的第四次工......
Co基Heusler合金通常具有远高于室温的居里温度、高自旋极化率、低磁阻尼因子,且与GaAs、MgO等衬底均具有良好的晶格匹配度,在磁性......
对于拓扑态的研究是当前凝聚态领域的一大热点,由于体系强的自旋轨道耦合能带发生反转,且受时间反演对称保护,在边缘/表面处形成无......
采用液滴外延技术在平坦GaAs(001)表面上制备GaAs纳米环结构.利用原子力显微镜对其表面形貌进行表征,发现在As压保护下金属Ga液滴......
锗(Ge)与锡(Sn)同为IV族元素,其合金(Ge1-xSnx)具有与硅(Si)一样的金刚石结构。特别的是,理论上预测当Sn含量达到6%-11%时,锗锡合金的能......
面对摩尔定律失效的挑战,具有性能高、尺寸小、功耗低和成本低等优点的Si基光子技术是有望解决Si集成电路瓶颈的路径之一。其中Si......
近些年来,过渡金属氧化物一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点,尤其是铜基氧化物中的高温超导现象因为广阔的未来应用前景而......
低维半导体纳米材料因其独特的量子效应与物理性质受到了广泛关注。其中,一维半导体Ge纳米线,因具备高的空穴迁移率、低的超精细相......
二维层状材料是近年来凝聚态物理研究的热点,不仅在各个应用领域表现出突出的性能,而且还展现出各种新奇的物理现象。具有类黑磷的......
红外辐射是自然界中大量存在的信号与能量,但却无法被人眼感知。而红外探测则是人类认识自然界的极其重要的武器,能扩展人类的视野......
氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带的半导体材料,在室温下的带隙约为3.3 eV,激子束缚能高达60meV。ZnO具有良好的光电性、透明导电性、气......
非常规超导体的新奇物性及其机制一直是凝聚态物理学与材料研究的前沿问题。在本论文中,利用分子束外延(MBE)、氩离子刻蚀退火(IBA)和......
碲化钼,是一种典型的过渡金属硫族化合物材料,其中包括二维的MoTe2薄膜和一维的Mo6Te6纳米线。近年来,低维碲化钼材料因其独特的性......
半导体激光器因其体积小,波长可调节和可靠性高等优点,被广泛应用在大气监测、激光测距、空间通信、激光手术和激光美容等领域。其......
超薄半导体因其优异的性能近年来获得了飞速发展,已成为光电探测器的重要研究方向之一。为了扩展摩尔定律,研究人员在追求高性能,......
类石墨烯材料具有与石墨烯相似的结构和物理性质,对它们的研究可以为纳米尺寸器件的应用提供基础.单层锑(锑烯)具有2.28 eV的宽带......
采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上同时沉积In、Al液滴形成纳米结构,利用原子力显微镜(AFM)对实验样品进行形貌表征,并通过X射线光......
采用界面失配阵列(Interfacial Misfit arrays,IMF)技术深入研究了在GaAs衬底上外延生长GaSb,研究了生长温度、Sb:Ga等效原子通量......
研究了 InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性.InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增......
碲镉汞(MCT)是一种重要的红外半导体材料。第二代热象仪-红外焦平面的制作需要性能优良的MCT薄膜:MCT薄膜的外延生长是发展红外焦平面......
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分......
本文利用分子束外延方法,存MOCVD生长的GaN模板上生长出高质量、超甲坦的In极性InN薄膜,10μm×10μm见方的表面平整度(rms)值约为......
用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮......
具有钙钛矿结构的金属氧化物多层膜比单层膜具有更良好的电学或光学性能,实际应用价值更大.在SrTiO(STO)基体的(001)晶面上,用由计......